lunes, 20 de septiembre de 2010

TIPOS DE MEMORIA RAM

SO RIMM (RIMM de contorno pequeño) es una variante de la RIMM para ordenadores portátiles.Las barras de chips SO-RIMM Rambus con 800 MHz con un tiempo de 40 ns RAS de acceso y que tienen un ancho de banda de 1,6 GB / s. Están disponibles en capacidades de 64, 128 y 256 MB y sus dimensiones son 67x31 mm. Las barras contienen sólo SO-RIMM 160 pines.


SGDRAM: Es un tipo de DRAM usado originalmente en tarjetas de vídeo y aceleradoras gráficas.
(Synchronous gráfico RAM) es una memoria DIMM SDRAM y diseñado específicamente para su uso en las tarjetas gráficas. No permite leer y escribir al mismo tiempo. Sin embargo, permite la recuperación y modificación de numero entero bloque de datos ( modo de ráfagas).


EDRAM: (DRAM mejorada) Memoria DRAM y memoria caché L2 es mejor. 35 ns. 15 ns en los 256 bytes de memoria DRAM. Creado por la adición de SRAM. La EDRAM regiones SRAM, al mismo tiempo, los datos de la lentitud de los bloques de memoria DRAM, podría recoger sus victorias. Datos pide una manzana entera con baja velocidad de DRAM con 128-bit SRAM 'envía.


VRAM: ( Video ram) es una memoria DRAM y DIMM diseñado especificamente para su uso en las tarjetas graficas.
Es más rápido que la DRAM convencional. A diferencia de la DRAM, se le permite leer y escribir al mismo tiempo. Su frecuencia es de 80 MHz y tiempo de acceso es de 20-25 ns



ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM) es una variante de la DRAM. Es desarrollado por la Sociedad de Sistemas de Mejora de la memoria. Sustituye a la SRAM, más caros, en sistemas integrados y ofrece una velocidad comparable con un consumo energético menor. El ESDRAM es en realidad la SDRAM estándar, pero equipado con topes SRAM, muy rápido.Mientras que el buffer se lee, el amplificador Sentido ", que es responsable de la lectura / escritura, puede realizar otras tareas que pueden ahorrar un poco de ciclos de reloj precioso.

SRAM: (Static Random Access Module) es un tipo de memoria estática, que se caracterizan por ser estáticos, ya que pueden guardar sus datos por tiempo indefinido hasta que el circuito está energizado. Ellos pueden ofrecer acceso en tiempo muy corto (ns pocos) diferente de la RAM dinámica. Son parte de los fundamentos de los procesadores. La memoria SRAM es más rápida que la DRAM, pero más caro y más complicado (requiere cuatro transistores por punto).SRAM se utilizan especialmente para las cachés de la CPU. Hay tres tipos principales de SRAM


FPM RAM: Actualmente no se utiliza.
DRAM (DRAM FPM Fast Page Mode): es una variante de la DRAM. El FPM ofrece tiempos de acceso de alrededor de 70-80 ns para una frecuencia de funcionamiento entre 25 a 33 MHz, ya que no puede proporcionar el número de columna una sola vez (por Los datos no se encuentran en la misma línea, pero sólo la misma columna).





SLDRAM: Es el directo competidor de DRDRAM. El diseño de la memoria SLDRAM mejora el 69 con un bus de 64 bits a velocidad de reloj de 200 MHz y con transferencia de datos con el flanco de subida y el flanco de bajada del reloj del sistema, lo cual genera una velocidad efectiva de 400 MHz Esto le permite a la memoria SLDRAM tener un ancho de banda teórico de 3.2 Gbytes/segundo, el doble de la memoria DRDRAM.



DRDRAM: Es una memoria de bus de 16 bits que opera a velocidades de reloj de 400 MHz y funciona con ambos flancos ascendente y descendente del pulso del reloj del microprocesador. Transfiere dos palabras de datos por cada ciclo del reloj del sistema, tiene un ancho de banda teórico de 1.6 Gbytes/segundo. Esta memoria viene encapsulada en un diseño especial de módulo llamado RIMM.


SDRAM: La velocidad de la SDRAM se mide en MHz y no en nanosegundos lo que hace fácil comparar la memoria con la velocidad del bus del microprocesador: PC66 SDRAM para (placa base) de bus de 66MHz, PC100 SDRAM para motherboard con bus de 100MHz, PC400 para motherboard con bus de 400MHz, y así sucesivamente.



DDR-SDRAM: permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDRs soportan una capacidad máxima de 1 GB.
Es similar a la memoria SDRAM, pero transfiere el doble de datos por cada ciclo de operación; para ello funciona tanto con el flanco ascendente como con el descendente del pulso del reloj del microprocesador. Funciona con 2.5 voltios, maneja palabras de datos de 64 bits y viene en un módulo DIMM de 184 contactos, el cual tiene una muesca en el borde, ligeramente desplazada del centro para impedir una mala colocación.


SDR SDRAM: La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior.
Cuenta con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en módulos DIMM de 168 contactos en ordenadores de sobremesa y en módulos SO-DIMM de 72, 100, 144, o 200 contactos en el caso de los ordenadores portátiles.



BEDO RAM:


algunas veces llamada Burst EDO RAM, fue un tipo de EDO
RAM capaz de trabajar con CPUs que tenían una velocidad de bus de 66 MHz, o menor.




Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a mas de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que si bien tenían mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como señales de reloj.


EDO RAM: Es un tipo particular de RAM que fue diseñada para superar la velocidad de acceso de la memoria
Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.



DRAM: Su capacidad, que se mide en Megabytes (MB), normalmente entre 256 y 512 MB. En cada cajón o dirección de memoria se puede guardar información del tamaño de un byte (8 bits = 1 byte = un carácter)


La RAM en un PC típico consta de una o más chapas de circuitos denominados placas, normalmente de aproximadamente 13 cm. de largo.
Dado que la RAM existe en los PC como millones y millones de filas de 64 bits que pueden contener datos
Nº de direcciones de memoria = 232 = 4.294.967.296
la cantidad de bytes de RAM que puede admitir una CPU con 32 cables de bus de dirección sería:

232 = 4.294.967.296 bytes = (4.294.967.296 / 1024 ) KB = 4.194.304 KB = (4.194.304 / 1024) MB = 4096 MB


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